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991.
浅析城镇爆破工程危害的综合控制   总被引:2,自引:1,他引:1  
陈仲超  刘广军 《工程爆破》2006,12(4):60-63,76
对周围环境十分复杂的金丽苑石方控制爆破工程产生的爆破震动、爆破飞石、爆破空气冲击波、爆破噪音及粉尘等爆破危害产生的原因和特点进行了分析,采取了一系列的综合措施对爆破危害进行有效控制,并进一步探究城镇控制爆破工程爆破危害的综合控制措施。  相似文献   
992.
无染料酸性镀铜添加剂的发展状况   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了无染料酸性镀铜添加剂MN系列的发展状况及几类无染料添加剂的优点和不足,比较了无染料系列添加剂与有机染料系列的性能差异,对目前最好的无染料添加剂系列EPI进行了简要的介绍,并展望了未来添加剂的发展方向.  相似文献   
993.
南洲水厂自动化综合监控系统   总被引:6,自引:0,他引:6  
介绍了南洲水厂自动化控制系统的结构及组成,以及设计考虑的主要问题。针对系统规模大、监控点数多、控制复杂等特点,在传统DCS系统三层结构上进行扩展,采用最新的企业级分布式监控解决方案,应用多种通讯技术,揉合多种工业总线,解决了固定和移动设备、远程站点的卖时监控问题,实现了不同设备、不同子系统之间的数据交换,是真正意义上的一体化控制。  相似文献   
994.
文章依据松嫩平原洪、涝、旱、碱综合治理和在水土资源中存在的问题,提出必须加大科研力度,提高技术含量,从保护生态环境可持续开发利用自然资源的战略角度出发,综合治理洪、涝、旱、碱灾害,并提出了一些具体作法。  相似文献   
995.
介绍了下变频器HSP50214的功能和主要特性,结合实际分析了他在常规通信系统、FDMA,TDMA和CDMA通信系统中的应用。  相似文献   
996.
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.  相似文献   
997.
斜视SAR成像处理中多普勒频率的新应用   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
刘光炎  黄顺吉 《电子学报》2003,31(6):829-832
多普勒频率在斜视SAR成像处理中的新应用被发现.由于斜视SAR方位向采样不同、脉冲重复频率不同,而且不同的斜距目标具有不同的多普勒频率,该文从雷达信号的回波模型入手,详细分析了回波信号的瞬时方位频率和瞬时多普勒频率及距离Chirp斜率对方位频率的影响,说明在CS算法中,选择适当的多普勒频率才能进行正确的成像,点目标仿真结果表明,该方法是合理的,能有效的进行距离压缩和方位聚焦,改善成像质量.  相似文献   
998.
开放式实验教学模式的思考   总被引:19,自引:0,他引:19  
刘杨 《现代电子技术》2006,29(20):52-54
针对目前高校实验教学中存在的诸多问题,研究和探索创新人才培养中实验教学的新模式。开放式实验教学模式是课堂教学的一种有效的补充和延伸,他包含3方面的含义,即时间的开放、内容的开放、实验仪器设备和资源的开放。通过建立开放式实验教学来促进实验教学水平和质量的提高,全面培养学生的实际动手能力和创新精神,提高学生的综合素质。  相似文献   
999.
陕北富县探区天然气藏钻井液屏蔽暂堵技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
陕北富县探区上古生界储层属低孔、低渗的致密储层,下古生界主要储集空间为溶蚀孔洞和裂缝,孔洞多为1~3 mm的小孔,裂缝宽度为0.2~7.0 mm,油气主要聚集在裂缝中.优选出了由复合暂堵剂CXD、憎水性屏蔽剂DYC和表面活性剂ABA组成的屏蔽暂堵配方,其中CXD具有架桥作用并对裂缝性储层有独特暂堵效果,DYC有浊点效应、能在井壁上快速形成阻止滤液侵入的油膜,ABA能减少水锁损害.加入暂堵剂后的钻井完井液,抑制性增强,页岩回收率在90%以上;高温高压滤失量降低,滤饼薄而韧、光滑;岩心静态渗透率恢复值大于90%;滤饼摩阻系数降低.富古6井通过使用该完井液,堵塞比和表皮系数都在轻微污染范围内,井径扩大率比其它井有不同程度的降低,表明优选出的屏蔽暂堵钻井完井液,能很好地保护陕北探区天然气藏.  相似文献   
1000.
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。  相似文献   
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